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指針的內容是存儲地址在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內所有的存儲元同時進行讀出或寫入操作，這樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通常可以存放一個字節；存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位。

在計算機中最小的信息單位是bit，也就是一個二進制位，8個bit組成一個Byte，也就是字節。一個存儲單元可以存儲一個字節，也就是8個二進制位。計算機的存儲器容量是以字節為最小單位來計算的，對于一個有128個存儲單元的存儲器，可以說它的容量為128字節。如果有一個1KB的存儲器則它有1024個存儲單元，它的編號為從0－1023。存儲器被劃分成了若干個存儲單元，每個存儲單元都是從0開始順序編號，如一個存儲器有128個存儲單元，則它的編號就是從0-127。

存儲地址一般用十六進制數表示，而每一個存儲器地址中又存放著一組二進制（或十六進制）表示的數，通常稱為該地址的內容。值得注意的是，內儲單元的地址和地址中的內容兩者是不一樣的。前者是存儲單元的編號，表示存儲器總的一個位置，而后者表示這個位置里存放的數據。正如一個是房間號碼，一個是房間里住的人一樣。

存放一個機器字的存儲單元，通常稱為字存儲單元，相應的單元地址叫字地址。而存放一個字節的單元，稱為字節存儲單元，相應的地址稱為字節地址。如果計算機中可以編址的最小單元是字存儲單元，則該計算機稱為按字尋址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是字節，則該計算機稱為按字節尋址的計算機。如果機器字長等于存儲器單元的位數，一個機器字可以包含數個字節，所以一個存儲單元也可以包含數個能夠單獨編址的字節地址。例如一個16位二進制的字存儲單元可存放兩個字節，可以按字地址尋址，也可以按字節地址尋址。當用字節地址尋址時，16位的存儲單元占兩個字節地址。

2008年8月18日，美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）等機構共同宣布，世界上首個22納米節點有效靜態隨機存儲器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環境下，制造出有效存儲單元。SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產業中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。

新的研究工作是在紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導體研究都在這里進行。IBM科技研發部副總裁T.C.Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進行研究，朝著先進的下一代半導體技術前進。新的研究成果對于不斷驅動微電子設備小型化的追求，可以說至關重要。”

22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝（high-Kmetalgatetechnology）。

從傳統上而言，SRAM芯片通過縮小基本構建單元，來制造得更加緊密。IBM聯盟的研究人員優化了SRAM單元的設計和電路圖，從而提升了穩定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開發出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻（high-NAimmersionlithography）技術刻出了模式維度和密度，并且在先進的300毫米半導體研究環境中制作了相關部件。

與SRAM單元相關的關鍵技術包括：邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長度晶體管、超薄隔離結構（spacer）、共同摻雜、先進激活技術、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點等。

據悉，在2008年12月15至17日美國舊金山將要舉行的IEEE國際電子設備（IEDM）年會上，還會有專門的報告來介紹最新成果的細節。