指針的內(nèi)容是存儲(chǔ)地址在存儲(chǔ)器中有大量的存儲(chǔ)元，把它們按相同的位劃分為組，組內(nèi)所有的存儲(chǔ)元同時(shí)進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮鳎@樣的一組存儲(chǔ)元稱為一個(gè)存儲(chǔ)單元。一個(gè)存儲(chǔ)單元通常可以存放一個(gè)字節(jié)；存儲(chǔ)單元是CPU訪問存儲(chǔ)器的基本單位。

在計(jì)算機(jī)中最小的信息單位是bit，也就是一個(gè)二進(jìn)制位，8個(gè)bit組成一個(gè)Byte，也就是字節(jié)。一個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)，也就是8個(gè)二進(jìn)制位。計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器容量是以字節(jié)為最小單位來計(jì)算的，對(duì)于一個(gè)有128個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器，可以說它的容量為128字節(jié)。如果有一個(gè)1KB的存儲(chǔ)器則它有1024個(gè)存儲(chǔ)單元，它的編號(hào)為從0－1023。存儲(chǔ)器被劃分成了若干個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元都是從0開始順序編號(hào)，如一個(gè)存儲(chǔ)器有128個(gè)存儲(chǔ)單元，則它的編號(hào)就是從0-127。

存儲(chǔ)地址一般用十六進(jìn)制數(shù)表示，而每一個(gè)存儲(chǔ)器地址中又存放著一組二進(jìn)制（或十六進(jìn)制）表示的數(shù)，通常稱為該地址的內(nèi)容。值得注意的是，內(nèi)儲(chǔ)單元的地址和地址中的內(nèi)容兩者是不一樣的。前者是存儲(chǔ)單元的編號(hào)，表示存儲(chǔ)器總的一個(gè)位置，而后者表示這個(gè)位置里存放的數(shù)據(jù)。正如一個(gè)是房間號(hào)碼，一個(gè)是房間里住的人一樣。

存放一個(gè)機(jī)器字的存儲(chǔ)單元，通常稱為字存儲(chǔ)單元，相應(yīng)的單元地址叫字地址。而存放一個(gè)字節(jié)的單元，稱為字節(jié)存儲(chǔ)單元，相應(yīng)的地址稱為字節(jié)地址。如果計(jì)算機(jī)中可以編址的最小單元是字存儲(chǔ)單元，則該計(jì)算機(jī)稱為按字尋址的計(jì)算機(jī)。如果計(jì)算機(jī)中可編址的最小單位是字節(jié)，則該計(jì)算機(jī)稱為按字節(jié)尋址的計(jì)算機(jī)。如果機(jī)器字長(zhǎng)等于存儲(chǔ)器單元的位數(shù)，一個(gè)機(jī)器字可以包含數(shù)個(gè)字節(jié)，所以一個(gè)存儲(chǔ)單元也可以包含數(shù)個(gè)能夠單獨(dú)編址的字節(jié)地址。例如一個(gè)16位二進(jìn)制的字存儲(chǔ)單元可存放兩個(gè)字節(jié)，可以按字地址尋址，也可以按字節(jié)地址尋址。當(dāng)用字節(jié)地址尋址時(shí)，16位的存儲(chǔ)單元占兩個(gè)字節(jié)地址。

2008年8月18日，美國(guó)IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）等機(jī)構(gòu)共同宣布，世界上首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)有效靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲(chǔ)單元。SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備，比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計(jì)，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。

新的研究工作是在紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導(dǎo)體研究都在這里進(jìn)行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C.Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進(jìn)行研究，朝著先進(jìn)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)前進(jìn)。新的研究成果對(duì)于不斷驅(qū)動(dòng)微電子設(shè)備小型化的追求，可以說至關(guān)重要。”

22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝（high-Kmetalgatetechnology）。

從傳統(tǒng)上而言，SRAM芯片通過縮小基本構(gòu)建單元，來制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設(shè)計(jì)和電路圖，從而提升了穩(wěn)定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻（high-NAimmersionlithography）技術(shù)刻出了模式維度和密度，并且在先進(jìn)的300毫米半導(dǎo)體研究環(huán)境中制作了相關(guān)部件。

與SRAM單元相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)包括：邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長(zhǎng)度晶體管、超薄隔離結(jié)構(gòu)（spacer）、共同摻雜、先進(jìn)激活技術(shù)、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點(diǎn)等。

據(jù)悉，在2008年12月15至17日美國(guó)舊金山將要舉行的IEEE國(guó)際電子設(shè)備（IEDM）年會(huì)上，還會(huì)有專門的報(bào)告來介紹最新成果的細(xì)節(jié)。