中國發(fā)光二極管LED用襯底材料市場競爭現(xiàn)狀分析與發(fā)展?jié)摿ρ芯繄蟾?016-2021年
【報告編號】: 127522
【出版時間】: 2016年4月
【出版機構(gòu)】: 中研智業(yè)研究院
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第一章 半導(dǎo)體照明（LED）產(chǎn)業(yè)概述
     1.1 半導(dǎo)體照明（LED）產(chǎn)業(yè)背景環(huán)境
     1.2 LED 產(chǎn)業(yè)鏈主要產(chǎn)品、分類及應(yīng)用
     1.3 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈的各個重要環(huán)節(jié)及其特點
     1.3.1半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)概述
     1.3.2上游環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)鏈
     1.3.3中游環(huán)節(jié)（芯片制備）產(chǎn)業(yè)鏈
     1.3.4下游環(huán)節(jié)（封裝和應(yīng)用）產(chǎn)業(yè)鏈
     1.3.5全國主要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地及潛力點
     第二章全球及我國LED 產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
     2.1 全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
     2.1.1全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)格局現(xiàn)狀及發(fā)展
     2.1.2全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)重點區(qū)域及企業(yè)現(xiàn)狀
     2.2 中國LED市場現(xiàn)狀
     2.2.1中國LED市場地位與現(xiàn)狀
     2.2.2中國LED外延及芯片環(huán)節(jié)現(xiàn)狀分析
     2.2.3中國LED封裝環(huán)節(jié)現(xiàn)狀分析
     2.2.4中國LED應(yīng)用領(lǐng)域現(xiàn)狀分析
     2.2.5 2015年我國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
     2.3 中國LED發(fā)展預(yù)測
     2.3.1政策支持
     2.3.2投資分析
     2.3.2.1 投資結(jié)構(gòu)分析
     2.3.2.2 投資資金分析
     2.3.2.3 投資區(qū)域分析
     2.3.2.4 2015年LED產(chǎn)業(yè)投資建議
     第三章 LED用襯底材料概述
     3.1襯底材料的類型及在LED產(chǎn)品中的作用
     3.2 LED芯片常用襯底材料選用比較
     3.3 LED用襯底材料相關(guān)政策資源分析
     3.4 LED用襯底材料相關(guān)產(chǎn)業(yè)分析
     第四章藍寶石篇
     4.1藍寶石襯底概述
     4.1.1藍寶石襯底概念
     4.1.2藍寶石單晶晶體物理性能
     4.1.3藍寶石襯底主要類型和應(yīng)用領(lǐng)域
     4.1.4藍寶石襯底主要技術(shù)參數(shù)及工藝路線
     4.1.5藍寶石襯底標(biāo)準(zhǔn)
     4.1.6藍寶石基板應(yīng)用種類
     4.2 國內(nèi)外藍寶石襯底行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
     4.2.1國外行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與企業(yè)介紹
     4.2.2國外企業(yè)及其產(chǎn)品簡介
     4.2.2.1 Rubicon
     4.2.2.2 STC
     4.2.2.3 Monocrystal
     4.2.2.4越峰電子材料股份有限公司
     4.2.2.5 日本的京都陶瓷（Kyocera）
     4.2.2.6 并木精密寶石工業(yè)
     4.2.2.7 Astek
     4.2.2.8其它
     4.2.3國內(nèi)藍寶石襯底行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
     4.2.4國內(nèi)主要藍寶石單晶生產(chǎn)企業(yè)簡介
     4.2.5國內(nèi)藍寶石長晶爐市場情況
     4.3 我國LED產(chǎn)業(yè)對藍寶石襯底的需求分析
     4.4 藍寶石襯底生產(chǎn)技術(shù)分析
     4.4.1目前藍寶石單晶主要生長技術(shù)分析
     4.4.2國內(nèi)外主要技術(shù)發(fā)展趨勢
     第五章碳化硅篇
     5.1 碳化硅襯底概述
     5.1.1碳化硅襯底概念
     5.1.2碳化硅性質(zhì)
     5.1.3碳化硅主要類型及應(yīng)用領(lǐng)域
     5.1.4碳化硅襯底標(biāo)準(zhǔn)
     5.2 國內(nèi)外碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)及市場分析
     5.2.1國外SiC晶片市場分析
     5.2.2國外企業(yè)及其產(chǎn)品介紹
     5.2.2.1 CREE
     5.2.2.2 SiCrystal
     5.2.2.3道康寧
     5.2.2.4新日鐵集團
     5.2.2.5普利司通
     5.2.3國內(nèi)SiC晶片生產(chǎn)及需求分析
     5.2.4國內(nèi)SiC晶片技術(shù)發(fā)展趨勢
     5.2.5國內(nèi)研發(fā)、生產(chǎn)企業(yè)及其產(chǎn)品簡介
     5.3 國內(nèi)外碳化硅襯底行業(yè)的需求分析
     5.3.1國內(nèi)市場對碳化硅襯底的需求分析
     5.3.2軍事領(lǐng)域?qū)μ蓟枰r底的需求分析
     5.4 碳化硅襯底技術(shù)分析
     5.4.1國外碳化硅技術(shù)現(xiàn)狀分析
     5.4.2國內(nèi)碳化硅生產(chǎn)技術(shù)與研究現(xiàn)狀
     第六章硅襯底篇
     6.1 硅襯底概述
     6.1.1硅襯底概念
     6.1.2硅襯底材料的優(yōu)勢
     6.1.3部分涉及單晶硅及硅拋光片國家及SEMI標(biāo)準(zhǔn)
     6.2 國內(nèi)外市場對硅襯底材料市場的需求
     6.2.1 LED產(chǎn)業(yè)對硅襯底材料的需求潛力分析
     6.2.2硅襯底材料在其他新興領(lǐng)域的需求
     6.3 國內(nèi)硅襯底生產(chǎn)技術(shù)分析
     第七章砷化鎵篇
     7.1 砷化鎵材料概述
     7.1.1砷化鎵的概念
     7.1.2砷化鎵分類
     7.1.2.1 按照應(yīng)用領(lǐng)域不同分類
     7.1.2.2 按照工藝方法不同的分類
     7.1.3砷化鎵生長方法概述
     7.2 國內(nèi)外砷化鎵材料的發(fā)展
     7.2.1境外砷化鎵材料的發(fā)展
     7.2.2境外砷化鎵材料市場的發(fā)展
     7.2.3境外砷化鎵企業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展
     7.2.4國內(nèi)砷化鎵材料的現(xiàn)狀及發(fā)展
     7.2.5國內(nèi)砷化鎵企業(yè)的現(xiàn)狀
     7.3 砷化鎵外延片的加工
     7.3.1砷化鎵外延片的工藝法
     7.3.1.1 氣相外延
     7.3.1.2 液相外延
     7.3.1.3 分子束外延（MBE）
     7.3.1.4 MOCVD
     7.3.2 LED使用中對砷化鎵外延材料的性能要求
     第八章　其他襯底材料
     8.1氧化鋅
     8.1.1氧化鋅晶體概述
     8.1.2氧化鋅晶體應(yīng)用及發(fā)展
     8.2 氮化鎵
     8.2.1氮化鎵晶體概述
     8.2.2氮化鎵晶體應(yīng)用及發(fā)展
     8.3 硼化鋯
     8.3.1硼化鋯晶體概述
     8.3.2硼化鋯晶體應(yīng)用及發(fā)展
     8.4 金屬合金
     8.4.1金屬合金襯底概述
     8.4.2金屬合金襯底應(yīng)用及發(fā)展
     8.5 其他晶體材料
     8.5.1　鎂鋁尖晶石
     8.5.2　LiAlO2和LiGaO2
     圖1-1 LED主要產(chǎn)品構(gòu)成圖
     圖1-2 LED制造工序
     圖1-3 LED各產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
     圖1-4 LED上游產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
     圖1-5 LED中游芯片產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
     圖1-6 LED下游封裝產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
     圖1-7 下游LED應(yīng)用產(chǎn)品環(huán)節(jié)
     圖1-8 我國LED區(qū)域企業(yè)數(shù)量產(chǎn)業(yè)分布
     圖2-1 2015年我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模
     圖2-2 2007~2015年我國LED芯片市場銷售情況
     圖2-3 我國LED封裝市場規(guī)模及增長率變化
     圖2-4 我國2015年半導(dǎo)體照明應(yīng)用領(lǐng)域分布
     圖2-5 2011-2015年規(guī)劃投資額對比情況
     圖2-6 2015年規(guī)劃投資結(jié)構(gòu)分布情況
     圖2-7 2015年規(guī)劃投資資金來源情況
     圖2-8 2015年規(guī)劃投資額區(qū)域分布情況
     圖3-1 LED 生產(chǎn)制程
     圖3-2 LED芯片基本結(jié)構(gòu)
     圖3-3 藍寶石作為襯底的LED芯片
     圖3-4 采用藍寶石襯底與碳化硅襯底的LED芯片
     圖4-1 藍寶石CZ 拉晶法
     圖4-2 藍寶石晶體KY 泡生長晶法
     圖4-3 藍寶石襯底材料技術(shù)工藝路線
     圖4-4 藍寶石襯底LED芯片成本構(gòu)成
     圖4-5 全球LED襯底主要廠商區(qū)域分布圖
     圖4-6 2015年藍寶石晶棒全球市占率分布狀況
     圖4-7 2015年藍寶石晶棒全球市占率分布
     圖4-8 2015年藍寶石襯底片全球市占率分布
     圖4-9 全球LED藍寶石襯底需求預(yù)測
     圖4-10 藍寶石襯底的消費市場占率分布
     圖4-6 2013~2015年Rubicon藍寶石晶棒月產(chǎn)能變化
     圖4-7 2013~2015年STC藍寶石晶棒月產(chǎn)能變化
     圖4-8 2013~2015年Monocrystal藍寶石晶棒月產(chǎn)能變化
     圖4-9 2013~2015年越峰藍寶石晶棒月產(chǎn)能變化
     圖4-10 2013~2015年京瓷藍寶石晶棒月產(chǎn)能變化
     圖4-11 2013~2015年并木藍寶石晶棒月產(chǎn)能變化
     圖4-12 2013~2015年Astek藍寶石晶棒月產(chǎn)能變化
     圖4-13 三星LED與住友化學(xué)合資成立LED用藍寶石新公司動向一覽
     圖4-14 國內(nèi)主要藍寶石晶棒廠商所在位置一覽
     圖4-15 2013-2015國內(nèi)上游環(huán)節(jié)產(chǎn)能和全球市場總需求及預(yù)測
     圖4-16 柴氏拉晶法(Czochralski method)之原理示意圖
     圖4-17 泡生法原理示意圖
     圖5-1 全球SiC市場區(qū)域分布比例
     圖5-2 美國國防部2005年碳化硅/氮化鎵HEMT的發(fā)展計劃
     圖6-1 硅襯底材料產(chǎn)品簡單生產(chǎn)過程
     圖6-2 Si襯底GnN基LED芯片結(jié)構(gòu)圖
     圖7-1 早期GaAs晶體生長方法
     圖7-2 GaAS晶片市場規(guī)模
     圖7-3 世界砷化鎵市場發(fā)展
     圖7-4 日本砷化鎵需求的發(fā)展
     圖7-5 國內(nèi)砷化鎵單晶生產(chǎn)線工藝方法所占比例
     圖 7-6 國內(nèi)GaAs產(chǎn)品內(nèi)銷與出口比重
     圖7-7 液相外延裝置的示意圖
     圖7-8 MBE裝置的示意圖
     圖7-9 分子束外延（MBE）設(shè)備
     圖7-10 MOCVD外延裝置的示意圖
     圖8-1 半導(dǎo)體化和物材料的禁帶寬度和晶格常數(shù)的關(guān)系
     圖8-2 ZrB2晶體結(jié)構(gòu)示意圖
     圖8-3 采用金屬及藍寶石兩種襯底的GaN LED器件原理圖
  
     表1-1 我國主要LED廠商產(chǎn)業(yè)鏈分布
     表1-2 我國LED四大分布區(qū)域及其主要特點
     表2-1 2015年國內(nèi)LED產(chǎn)量、芯片產(chǎn)量及芯片國產(chǎn)率
     表2-2 2015年國內(nèi)LED投資項目一覽
     表3-1 各類外延襯底基片材料主要物理性能對比
     表3-2 各種襯底材料的綜合性能比較
     表4-1 藍寶石單晶片基礎(chǔ)物理參數(shù)
     表4-2 藍寶石產(chǎn)品類型
     表4-3 2英寸藍寶石單晶片規(guī)格
     表4-4 藍寶石襯底相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
     表4-5 全球LED襯底材料主要生產(chǎn)企業(yè)
     表4-6 2010年全球主要LED藍寶石基板生產(chǎn)廠商2英寸基板的厚度
     表4-7 藍寶石晶棒除了應(yīng)用于LED產(chǎn)業(yè)的用途
     表4-8 2011-2015年全球前十大藍寶石襯底廠商產(chǎn)能情況
     表4-9 2012-2015中國本土藍寶石襯底企業(yè)15強
     表4-10 國內(nèi)藍寶石企業(yè)近期項目投產(chǎn)計劃
     表4-11 國內(nèi)研制藍寶石長晶爐的主要企業(yè)
     表4-12 藍寶石單晶制備方法統(tǒng)計
     表4-13 藍寶石單晶主要生長技術(shù)方法的比較
     表5-1 SiC襯底材料與硅及GaAs比較
     表5-2 功率器件（4H·n型）用SiC單晶的各廠商生產(chǎn)現(xiàn)況
     表5-3 SiC體單晶的生長技術(shù)比較
     表5-4 國際SiC產(chǎn)品的水平
     表7-1 砷化鎵基本性能參數(shù)
     表7-2 GaAs晶體生長的各種方法的分類
     表7-3 GaAs單晶各種生長工藝方法優(yōu)缺點的比較
     表7-4 全球砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成
     表7-5 國內(nèi)主要砷化鎵單晶生產(chǎn)廠家生產(chǎn)情況
     表7-6 國內(nèi)砷化鎵單晶材料廠家的生產(chǎn)開發(fā)、生產(chǎn)情況
     表7-7 砷化鎵的外延片特性
     表8-1 列出了纖鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性比較