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原裝現(xiàn)貨供應(yīng) NDF06N60ZG 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 ON TO-220F600V 16A 31W 0.98Ω
| FQP9N50 |
| FQP9N50C |
| FQP10N20C |
| FQP10N60 |
| FQP11N40C |
| FQP12N60C |
| FQP19N20C |
| FQP20N06 |
| FQP44N10 |
| FQP50N06 |
| 50N05 |
| 50N06 |
| SW50N06 |
| SW50N06A |
| FQP6P25 |
| FQP12P20 |
| FQPF2N60C |
| FQPF2N70 |
| FQPF3N80 |
| FQPF4N90C |
| FQPF5N50 |
| FQPF5N60 |
| FQPF5N60C |
| FQPF5N70 |
| FQPF5N80 |
| FQPF6N60 |
| NDF06N60ZG |
| NDP06N60ZG |
| NDF10N60ZG |
| FQPF6N70 |
| FQPF6N90 |
| FQPF7N60 |
| FQPF7N60C |
| FQPF7N80C |
| FQPF8N60C |
| HFS8N60S |
| FQPF10N60C |
| FQPF11N60 |
| FQPF12N60C |
| FQPF13N50C |
| FDPF5N50UT |
| FDPF16N50 |
| FQPF20N06 |
| FQPF30N06L |
| FQU2N40 |
| FQU2N60C |
| FQU3N40 |
| FQU4N25 |
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充功率開關(guān)產(chǎn)品陣容 推出高壓MOSFET系列
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特（V）和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正（PFC）和脈寬調(diào)制（PWM）段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求，在這些應(yīng)用中，加快導(dǎo)通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器，及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器（LCD）面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。
這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET,以提供有競(jìng)爭(zhēng)力的低導(dǎo)通阻抗（RDS（on））實(shí)現(xiàn)極低的功率耗散。這些器件使用平面條形（planar stripe）技術(shù)，能在極苛刻應(yīng)用中工作。低門電荷降低開關(guān)損耗，還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應(yīng)用中提供強(qiáng)固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開發(fā)更高能效的電源子系統(tǒng)。
安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“推出這些器件系列僅是安森美半導(dǎo)體進(jìn)軍高壓功率MOSFET市場(chǎng)的第一步。我們戰(zhàn)略性地進(jìn)入了高壓開關(guān)市場(chǎng)，提供充沛的500 V到600 V負(fù)載開關(guān)方案選擇，更好地服務(wù)我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續(xù)擴(kuò)充高壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為消費(fèi)及工業(yè)客戶提供針對(duì)性的方案。這些新器件的推出是安森美半導(dǎo)體不斷加強(qiáng)其業(yè)界領(lǐng)先高能效電源方案供應(yīng)商地位的又一實(shí)例。”
新推出的600 V MOSFET器件包括：
- NDD02N60Z-1G ,采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元
- NDD02N60ZT4G,采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元
- NDD03N60Z-1G,采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元
- NDD03N60ZT4G,采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元
- NDD04N60Z-1G,采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元
- NDD04N60ZT4G,采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元
- NDF04N60ZG,采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元
- NDF06N60ZG,采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.36美元
- NDF10N60ZG,采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.42美元
新推出的500 V MOSFET器件包括：
- NDD05N50Z-1G,采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元
- NDD05N50ZT4G,采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元
- NDF05N50ZG,采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元
- NDF08N50ZG,采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.38美元
