| 內(nèi)容: |
一種半導(dǎo)體激光器掩蔽膜的制作方法,其特征在于:包括以下步驟:(1)涂敷聚酰亞胺:在激光器外延晶片表面均勻涂敷聚酰亞胺;(2)烘烤:將涂有聚酰亞胺的激光器外延晶片放入烘箱內(nèi),在100度以上溫度下烘烤20～50分鐘;(3 )涂正性光刻膠:在烘烤后的聚酰亞胺層的表面再均勻地涂上正性光刻膠;(4)涂膠后烘烤:將涂正性光刻膠后的激光器外延晶片放入烘箱內(nèi),在80度以上溫度下烘烤20～40分鐘;(5)曝光:對(duì)烘烤后的正性光刻膠曝光;曝光區(qū)域?yàn)闂l形結(jié)構(gòu); 使正性光刻膠及聚酰亞胺充分曝光;(6)顯影:將曝光區(qū)域的正性光刻膠用弱堿性溶液顯影,使窗口區(qū)域內(nèi)無(wú)任何聚酰亞胺殘留;(7)烘烤:顯影后的激光器外延晶片放入烘箱內(nèi),在140以上溫度下烘烤10～20分鐘;(8)去膠:用有 機(jī)溶劑去掉殘留的正性光刻膠;(9)亞胺化:在高溫爐里分三個(gè)階段進(jìn)行亞胺化,在160～220度時(shí)加熱30～50分鐘,在320～400度時(shí)加熱60分鐘～80分鐘,在450～500度時(shí)加熱3～6分鐘。 |
| 介紹: |
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體激光器掩蔽膜的制作方法,包括以下步驟:(1)均勻涂敷聚酰亞胺;(2)烘烤;(3)涂正性光刻膠;(4)涂膠后烘烤;(5)曝光;(6)顯影;(7)烘烤;(8)用有機(jī)溶劑去掉殘留的正性光刻膠;(9)亞氨化:在高溫爐里進(jìn)行亞胺化。本發(fā)明利用旋涂等均勻涂敷方法涂敷聚酰亞胺、光刻后亞胺化的方法制作半導(dǎo)體激光器掩蔽膜,形成聚酰亞胺掩蔽膜,因?yàn)榫埘啺肪哂休^好的塑性,避免了氧化物掩蔽工藝所形成的介質(zhì)膜與激光晶片不匹配所形成的表面應(yīng)力,保證了所制成器件的可靠性。本發(fā)明利用常規(guī)的光刻方法,省略了制作氧化物等步驟,簡(jiǎn)化了工藝,提高工作效率達(dá)15%以上。 |
