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廣州銀漿回收上門

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產(chǎn)品價(jià)格: 面議/人民幣 
最后更新: 2024-04-17 13:24:10
產(chǎn)品產(chǎn)地: 本地
發(fā)貨地: 本地至全國 (發(fā)貨期:當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
有效期: 長(zhǎng)期有效
最少起訂: 1
瀏覽次數(shù): 27
詢價(jià)  家家通會(huì)員產(chǎn)品
  • 公司基本資料信息
    • 深圳銀漿回收有限公司
    • 陳先生先生 經(jīng)理
    • 會(huì)員[家家通會(huì)員產(chǎn)品]
    • 郵件15914038048@qq.com
    • 手機(jī)15914038048
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    • 地址福永橋頭
    • 進(jìn)入商鋪
     
    產(chǎn)品詳細(xì)說明
    型號(hào)

    廣州銀漿回收

    廠家

    廣州銀漿回收

      高價(jià)回收銀漿、銀焊條、金鹽、金水、金絲、鈀鹽、鈀水、鈀粉、銀鹽、銀粉,銀板,、導(dǎo)電銀漆、導(dǎo)電布、擦銀布。

      廣州銀漿回收太陽能發(fā)電是大規(guī)模且經(jīng)濟(jì)地利用太陽能的重要手段,是國家發(fā)展低碳經(jīng)濟(jì)的重點(diǎn),因此對(duì)太陽能電池的研究受到世界各國的普遍重視。正面電極作為太陽能電池的重要組成部分,對(duì)太陽能電池的受光面積和串聯(lián)電阻有決定性的影響,是影響太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一[1]。目前工業(yè)上晶體硅太陽能電池正面電極金屬化出于成本因素考慮一般采用絲網(wǎng)印刷厚膜銀漿工藝:將導(dǎo)電銀漿通過絲網(wǎng)印刷的方式涂刷在硅晶片上,再通過快速燒結(jié)工藝制成正面電極[2]。作為正面電極的銀膜的性能除了受導(dǎo)電銀漿自身性能的影響,銀漿的燒結(jié)工藝也是銀膜電性能及附著力的一個(gè)重要影響因素[3]。導(dǎo)電銀漿在燒結(jié)過程中銀粉和玻璃粉的變化情況將影響所形成銀膜的微觀結(jié)構(gòu),并影響銀膜的導(dǎo)電性能及銀膜與硅基板的連接性能[4-5]。銀漿的燒結(jié)過程包括:玻璃粉的軟化、玻璃液浸潤(rùn)銀粉以及硅基板、玻璃液帶動(dòng)銀粉顆粒重排、液相固化收縮等,其中還可能包括銀粉及硅的熔融、銀粉顆粒的重結(jié)晶[6]。燒結(jié)溫度越高玻璃液的粘度越低流動(dòng)性越好,浸潤(rùn)銀粉和基體并帶動(dòng)銀粉重排的效果越好,但過高的燒結(jié)溫度或過長(zhǎng)的保溫時(shí)間會(huì)使玻璃相分布不均勻,富集于銀層和基板之間,影響銀膜的導(dǎo)電性及銀膜與基板的附著力[7-8]。本文主要研究燒結(jié)溫度及保溫時(shí)間對(duì)銀膜導(dǎo)電性能及銀膜附著力的影響。

      1實(shí)驗(yàn)

      1.1導(dǎo)電銀漿的制備

      本實(shí)驗(yàn)采用微米級(jí)球形銀粉、Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3系無鉛玻璃粉(軟化溫度Tg=514℃)和松油醇體系有機(jī)載體按照82:5:13的質(zhì)量分?jǐn)?shù)比混合,攪拌均勻后用三輥機(jī)軋制3~4次,直至漿料細(xì)度均勻,無明顯大顆粒即得到所需銀漿。銀粉及玻璃粉粒度見表1。

      1.2漿料的印刷與燒結(jié)

      將單晶硅片用無水乙醇清洗干凈后,通過300目絲網(wǎng)將銀漿印刷在單晶硅片上。將印刷好的試樣放置在水平臺(tái)面上使銀漿流平10min再在200℃恒溫干燥箱中干燥15min,然后放入預(yù)加熱到燒結(jié)溫度的馬弗爐中保溫一定時(shí)間。燒結(jié)完成后取出試樣空冷得到所需銀膜。

      1.3性能測(cè)試

      用ST-2258C型多功能四探針測(cè)試儀測(cè)量燒結(jié)后銀膜的方阻;燒制1.5mm×30mm的線狀銀膜,然后沿著銀膜中心焊接1mm寬的焊帶,利用拉力機(jī)測(cè)試銀膜與硅基片的附著力;用XL30ESEMTEP型掃描電鏡觀察燒結(jié)后銀膜表面及斷面形貌。

      2結(jié)果與討論

       2.1燒結(jié)溫度對(duì)銀膜性能的影響

      廣州銀漿回收銀漿的燒結(jié)過程首先是玻璃粉在高溫下軟化形成玻璃液,然后玻璃液浸潤(rùn)銀粉和單晶硅基體,一方面帶動(dòng)銀粉顆粒重排,使銀粉顆粒連成一體,冷卻收縮后使銀粉緊密接觸形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò);另一方面玻璃液在浸潤(rùn)單晶硅基體的過程中帶動(dòng)一些銀粉流散分布在基體上,在銀粉顆粒與基體之間起連接作用[9]。另外由Ag-Si二元合金相圖可知Ag-Si的低共熔溫度為835℃,在此溫度以上燒結(jié)銀漿,在銀粉與硅基體的接觸面上可能形成Ag-Si低共熔體,快速冷卻后有可能在Ag-Si接觸面上形成Ag-Si合金[5],有利于提升銀膜與硅基體的歐姆接觸性能和附著力。因此本實(shí)驗(yàn)選擇研究835℃附近燒結(jié)溫度對(duì)銀膜性能的影響。從750℃到910℃每隔20℃為一個(gè)溫度點(diǎn)分別燒結(jié)試樣,保溫時(shí)間40s,測(cè)量燒結(jié)后銀膜的方阻,


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