5D壓敏電阻 7D壓敏電阻 10D壓敏電阻 14D壓敏電阻
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一、電壓范圍寬（18V～1800V）
非線性系數大
通流容量大
響應時間快（≤20ns）
二、主要用途徑
半導體器件保護
家用電器浪涌過電壓保護
通信、測量、控制儀器浪涌過電壓保護
電磁閥、繼電器操作過電壓保護
三、壓敏電阻器是一種具有瞬態電壓抑制功能的元件，可以用來代替瞬態抑制二極管、齊納二極管和電容器的組合。壓敏電阻器可以對IC及其它設備的電路進行保護，防止因靜電放電、浪涌及其它瞬態電流（如雷擊等）而造成對它們的損壞。使用時只需將壓敏電阻器并接于被保護的IC或設備電路上，當電壓瞬間高于某一數值時，壓敏電阻器阻值迅速下降，導通大電流，從而保護IC或電器設備；當電壓低于壓敏電阻器工作電壓值時，壓敏電阻器阻值極高，近乎開路，因而不會影響器件或電器設備的正常工作。
四、產品應用
產品應用：開關電源電源適配器 LED照明電源電腦電源打印機家用電器鎮流器光伏控制設備通信設備等產品中。
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五、產品認證
產品已通過UL、CUL、VDE、CCC、CQC、CSA、PSE等世界各國安規認證！
六、我們的服務
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片式壓敏電阻器（VARISTOR）是壓敏電阻器的一種.它是用氧化鋅非線性電阻元件作為核心而制成的電沖擊保護器件。氧化鋅非線性電阻元件是以氧化鋅（ zn0 ）為主體材料，添加多種其他微量元素，用陶瓷工藝制成的化合物半導體元件。
它的基本特性是電流一電壓關系的非線性。當加在它兩端的電壓低于某個閥電壓，即“壓敏電壓”時，它的電阻值極大，為兆歐級；而當加在它兩端的電壓超過壓敏電壓后，電阻值隨電壓的增高急速下降，可小到歐姆級、毫歐姆級。壓敏電阻器與普通電阻器不同，普通電阻器遵守歐姆定律，而片式壓敏電阻器的電壓與電流則呈特殊的非線性關系。當片式壓敏電阻器兩端所加電壓低于標稱額定電壓值時，其電阻值接近無窮大，內部幾乎無電流流過。當片式壓敏電阻器兩端電壓略高于標稱額定電壓時，它將被迅速擊穿導通，并由高阻狀態變為低阻狀態，工作電流也急劇增大。
當其兩端電壓低于標稱額定電壓時，片式壓敏電阻器又能恢復為高阻狀態。當壓敏電阻器兩端電壓超過其最大限制電壓時，壓敏電阻器將完全擊穿損壞，無法再自行恢復。一般而言,片式壓敏電阻器的制作工藝流程如下:疊層,切割,排膠,燒結,倒角,涂敷,端電極,電鍍.
我們在討論ZOV的制作之前，首先應該學習一下ZOV的導電機理，因為導電機理和微觀形成機理是進行討論和研究的基礎。對此，作者推薦兩篇論文，一篇是譚宜成博士的《ZnO壓敏瓷主晶界高非線性形成機理》(1987年博士論文)。該文詳細敘述了ZnO壓敏瓷的研制過程，用熱離子發射、熱助場發射、場發射理論，解釋了正反偏肖特基勢壘的電壓-電流特性，用FromRel-Poolt發射、遂道效應、熱激發躍遷、空間電荷限制電流理論，解釋了薄絕緣層中的電壓-電流特性，提出了他的主晶界次晶模型。他對主晶界、次晶界的形成理論、形成過程及其對電性能的影響作了很詳細的研究，尤其是對致密化過程的研究很有實用價值。
還有一篇是《Zine Oxide Varistor》(IEEE.Electrieal Insulatcon Magazine D.C VOL1.91.P50)，該文敘述了從1968年Matsouka發明ZnO壓敏電阻以來至1987年Suzuoki提出空間電荷引起的電流理論，這20年間壓敏陶瓷導電機理的發展。詳細敘述了8個模型：
①在富鉍晶界層內建立的"空間電荷限制電流"模型；
②萊文遜（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"晶界面處通過薄層的遂道效應"模型；
③Emtage和Einzinger提出的有ZnO相和富Bi晶間相異質結的"界面態肖特基勢壘遂道效應"模型；
④Maham提出的"通過具有空穴形成的肖特基勢壘遂道效應"模型，此模型提出了晶界處少數載流子（空穴）的重要性；
⑤Einzinger提出的"通過ZnO同質結構的遂道效應"模型，此模型指出了冷卻時在晶界形成缺陷的熱平衡的重要性；
⑥Pike提出的"空穴引起的穿透"模型，此模型指出了"由于空穴積聚使晶界處勢壘降低造成了壓敏陶瓷的高非線性，空穴是由于耗盡區的加速電子產生的，勢壘的大小取決于體陷井和界面態"
⑦萊文遜（Levinson）、
⑧Suzuoki提出的由ZnO相和富Bi2O3薄膜組成的"異質結外引起的空間電荷電流"模型。
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