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三菱電機開始發售搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊

實現兆瓦級太陽能與風力發電變流器小型化和高效化

搭載第6代IGBT芯片 的“MPD系列IGBT模塊”開始發售

三菱電機株式會社定于5月31日開始發售MPD系列※1IGBT模塊的3種新產品，這些產品搭載了第6代IGBT※2 芯片，用于兆瓦級太陽能發電系統和風力發電系統的功率調節器等電力轉換設備。

本產品將在2012年的PCIM Europe展 (5月8～10日在德國紐倫堡舉行)上展出。

※1 Mega Power Dual：大容量雙元件功率模塊

※2 Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管

「MPD系列IGBT模塊」

新產品的特點： 

1．搭載第6代IGBT芯片，有助電力轉換設備小型化和高效化

・采用第6代CSTBT※3，集電極與發射極之間的飽和電壓比以前第5代※4降低約15%

・柵電容比以前※4降低約30～50％

・最高結溫為175℃，比以前※4提高25℃,有助電力轉換設備小型化

※3 Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor：載流子存儲式絕緣柵雙極性晶體管

※4 第5世代IGBT模塊「CM900DUC-24NF」「CM1400DUC-24NF」「CM1000DUC-34NF」

2．確保與現有機型互相兼容，可更換

・在外形、端子排列等方面，確保與之前第5代※4互相兼容

・絕緣耐壓為4000V，比以前※4提高14％～60％

環保考慮： 

符合歐盟成員國限制6種特定有害物質的RoHS※5指令。

※5 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment