等離子體刻蝕設(shè)備應(yīng)用于刻蝕硅片邊沿的硅磷層，擴(kuò)散過(guò)程中，不但硅片的表面擴(kuò)散上了磷，硅片邊緣也擴(kuò)散上了磷，這會(huì)導(dǎo)致硅片正反兩極通過(guò)邊緣導(dǎo)通短路。所以必須將硅片邊緣這層被擴(kuò)散上的硅磷去掉，大概去除1到3個(gè)微米。硅片在刻蝕機(jī)內(nèi)水平旋轉(zhuǎn)，通入的反應(yīng)氣體為四氟化碳、氧、和氮?dú)?。其原理是在放電狀態(tài)下反應(yīng)氣體四氟化碳、氧氣和硅片邊緣的硅化合物發(fā)生反應(yīng)生成硅，反應(yīng)形成粉未和氣態(tài)物質(zhì)后隨氣流一起被抽走等。
