廈門中芯晶研半導體有限公司

外延級N型與半絕緣型4H碳化硅(4H-SiC)襯底晶片

單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導體晶片

寬禁帶半導體：氮化鎵（GaN）單晶自支撐襯底片

III-V化合物半導體銻化銦（InSb）襯底晶片，N、P型

N型、P型、半絕緣型砷化鎵（GaAs）半導體襯底晶片

N型、P型、半絕緣型磷化銦（InP）化合物半導體襯底片

藍寶石\/硅\/碳化硅基氮化鎵（GaN）外延片：LED，LD，HEMT應(yīng)用

常規(guī)與定制結(jié)構(gòu)碳化硅（SiC）外延片用于功率器件

砷化鎵（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件應(yīng)用

三五族半導體N型、P型銻化鎵（GaSb）晶片，單面、雙面拋光

（100）、(111)晶向N、P導電型單雙拋鍺（Ge）單晶片

外延級N型與半絕緣型4H碳化硅(4H-SiC)襯底晶片

單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導體晶片

寬禁帶半導體：氮化鎵（GaN）單晶自支撐襯底片

III-V化合物半導體銻化銦（InSb）襯底晶片，N、P型

N型、P型、半絕緣型砷化鎵（GaAs）半導體襯底晶片

N型、P型、半絕緣型磷化銦（InP）化合物半導體襯底片

藍寶石\/硅\/碳化硅基氮化鎵（GaN）外延片：LED，LD，HEMT應(yīng)用

常規(guī)與定制結(jié)構(gòu)碳化硅（SiC）外延片用于功率器件

砷化鎵（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件應(yīng)用