電容器自身的發熱特性測量，應在將電容器溫度極力抑制為對流、輻射產生的表面放熱或治具傳熱產生的放熱狀態下進行。此外，在電容率的電壓依賴性為非線形的高電容率類電容器中，需同時觀察加在電容器上的交流電流與交流電壓。小容量的溫度補償型電容器應具備100MHz以上高頻中的發熱特性，因此須在反射較少的狀態下進行測量。

  用雙極電源將信號發生器的信號增幅，加在電容器上。用電流探頭（通用探頭）觀察此時的電流，使用電壓探頭觀察電容器的電壓。同時用紅外線溫度計測量電容器表面的溫度，明確電流、電壓及表面溫度上升的關系。

  組成系統的設備及電纜類均統一為50Ω，將測量試料裝在形成微帶線的基板上，兩端裝有SMA連接器。用高頻波放大器（Amplifier）增幅信號發生器（Signal GENERATOR）的信號，用定向耦合器（Coupler）觀察反射同時即施加在試料（DUT）上。用衰減器（Attenuator）使通過試料輸出的信號衰減，用電力計（Power Meter）觀測。同時觀測試料表面溫度。作為高介電常數的片狀多層陶瓷電容器系列發熱特性的測量數據，3216型10uF的B特性6.3V的發熱特性數據、阻抗和ESR的頻率特性。

型號命名：

各國電容器的型號命名很不統一，國產電容器的命名由四部分組成：

第一部分：用字母表示名稱，電容器為C。

第二部分：用字母表示材料。

第三部分：用數字表示分類。

第四部分：用數字表示序號。

【使用壽命】：2000H

【工作溫度范圍】：-55℃~125℃

【容量范圍】: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF

【損失角正切(tanδ)】: NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%

【絕緣電阻】: 20℃ 或 500/C Ω ：≥100000MΩ 取兩者最小值

【老化速率】: NPO:1%;X7R:2.5% 一個decade時間

【介質電耐電壓】： 100V ≤ V ＜500V :200%

【電容量漂移】：不超過±0.2％或±0.05pF，取較大者。

【品質因數（Q值）】：頻率為1MHz時大于5,000

【介質耐電壓（測試浪涌電流不超過50mA）】：2.5 UR

【溫度系數】：0±30ppm/℃