貼片電容采用堅固的全鉭結(jié)構(gòu)進行制造，可承受高應(yīng)力和危險環(huán)境，非常適合應(yīng)用于武器系統(tǒng)、雷達、無線收發(fā)機和電源等要求苛刻、高應(yīng)力的國防和航天系統(tǒng)中的低壓濾波和儲能系統(tǒng)。貼片電容的容值為180μF~10,000μF，在120Hz和+25℃標(biāo)準(zhǔn)條件下的容差為±20%，也提供±10%的容差。

    具有每單位體積容值最高的獨特陰極系統(tǒng)，代表了在鉭電容器技術(shù)上的最新突破。貼片電容兼具鉭的內(nèi)在可靠性和固鉭的容值穩(wěn)定性，沒有電路阻抗的限制，大幅提高了容值等級。工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。

     高可靠性貼片電容器的性能，擴大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。不同于商用級電容器，這些器件具有所需的可靠性和在高可靠性應(yīng)用中確保性能所必需的浪涌篩選選項，同時還能保持最大的容值電壓乘積，該數(shù)值是衡量電容器能夠儲存多少能量的優(yōu)值系數(shù)，可幫助設(shè)計者為其應(yīng)用選擇最佳的電容器.

很多人都不知道貼片電容到底有多少壽命，使用了多少壽命那么今天我司就為大家介紹下電容如何推斷出壽命首先通過電壓加速與溫度加速系數(shù)可推算出電容器的使用壽命，步驟如下：

  可將產(chǎn)品使用時的外部環(huán)境溫度及施加電壓作為參數(shù)進行公式化。 一般來說，阿列紐斯法則被廣泛用于加速公式中，而我們運用以下公式便可簡單地進行推算。

  47_01cn.PNG 在此公式的基礎(chǔ)上，通過在更為嚴苛的條件(更高溫、更高電壓)下進行加速試驗，可推算出產(chǎn)品在實際使用環(huán)境下的使用壽命。 在此，我們一起來比較一下獨石陶瓷電容器的加速試驗與實際產(chǎn)品使用的假定環(huán)境。我們將電容器的加速試驗中將耐久試驗時間視為LA，將實際使用環(huán)境下的相當(dāng)年數(shù)視為LN，用于上述公式。

  耐久試驗條件 假定使用環(huán)境 電壓加速系數(shù) 溫度加速系數(shù) 相應(yīng)年限 TA＝85°C VA＝20V LA＝1000h TN＝65°C VN＝5V n＝4 θ＝8 LN＝？h 這樣，我們即可通過在85°C、施加20V電壓的環(huán)境下進行了1000h的耐久試驗，推算出在5°C、施加5V電壓的環(huán)境下產(chǎn)品使用年限為1448155h(≒165年！)。計算中使用的電壓加速系數(shù)、溫度加速系數(shù)會由陶瓷材料的種類及構(gòu)造產(chǎn)生不同，但通過加速計算公式可在相對較短的時間內(nèi)利用試驗結(jié)果來驗證長時間的實際使用環(huán)境中的產(chǎn)品使用壽命。

  以上就是我司為大家解答的貼片電容壽命推斷數(shù)據(jù)與資料大家學(xué)會了嗎，如果不明之處可詢問我司！

貼片電容其主要作用是為了清除由芯片自身產(chǎn)生的各種高頻信號對其他芯片的串?dāng)_，從而讓各個芯片模塊能夠不承受干擾而正常工作。在高頻電子的振蕩線路中，貼片式電容與晶體振蕩器等元件一起組成振蕩電路，給各種電路提供所需的時鐘頻率。

貼片式電容有著貼片式陶瓷電容、貼片式鉭電容、貼片式鋁電解電容。貼片式陶瓷電容無極性，容量也很小（PF級），一般可以耐很高的溫度和電壓，常用于高頻濾波。陶瓷電容看起來有點像貼片電阻（因此有時候我們也稱之為“貼片電容”），但貼片電容上沒有印有代表容量大小的數(shù)字。

貼片式鉭電容的特點是壽命長、耐高溫、準(zhǔn)確度高、濾高頻改波性能極好，不過容量較小、價格也比鋁電容貴，而且耐電壓及電流能力相對較弱。它被應(yīng)用于小容量的低頻濾波電路中。 

貼片鉭電容與陶瓷電容相比，其表面均有電容容量和耐壓標(biāo)識，其表面顏色通常有黃色和黑色兩種。譬如100-16即表示容量100μF，耐壓16V。

貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量，其多見于顯卡上，容量在300μF~1500μF之間，其主要是滿足電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用。

首先是陶瓷本體問題-斷裂或微裂，這是最常見的問題之一。斷裂現(xiàn)象較明顯，而微裂一般出在內(nèi)部，不容易觀察到，涉及到片狀電容的材質(zhì)、加工工藝和片狀電容使用過程中的機械、熱應(yīng)力等作用因素影響。

  其次是片狀電容電性能問題。片狀電容使用一段時間后出現(xiàn)絕緣電阻下降、漏電。

  以上兩個問題往往同時產(chǎn)生，互為因果關(guān)系。電容器的絕緣電阻是一項重要的參數(shù)，衡量著工作中片狀電容漏電流大小。漏電流大，片狀電容儲存不了電量，片狀電容兩端電壓下降。往往由于漏電流大導(dǎo)致了片狀電容失效，引發(fā)了對片狀電容可靠性問題的爭論。

可靠性問題：片狀電容失效分為三個階段：  

  第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過程的失效，這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過程中，第一道工序陶瓷粉料、有機黏合劑和溶劑混合配料時，有機黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率；第三道工序絲印時內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵，否則易產(chǎn)生強的收縮應(yīng)力，燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序，燒結(jié)不良可以直接影響到電性能，且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時收縮不一致導(dǎo)致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋，這些微裂紋對一般電性能不會產(chǎn)生影響，但影響產(chǎn)品的可靠性。主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降，漏電。

  防范、杜絕微裂紋的產(chǎn)生：從原材料選配、瓷漿制備、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)四方面優(yōu)選工藝參數(shù)，以達到片狀電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)合理，電性能穩(wěn)定，可靠性好。  

  第二階段是片狀電容穩(wěn)定地被用于電子線路中，該階段片狀電容失效概率正逐步減小，并趨于穩(wěn)定。分析片狀電容使用過程中片狀電容受到的機械和熱應(yīng)力，即分析加工過程中外力對片狀電容可能的沖擊作用，并依據(jù)片狀電容在加工過程中受到的應(yīng)力作用，設(shè)計各種應(yīng)力實驗條件，衡量作用在片狀電容上的外應(yīng)力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實驗以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。      

  片狀電容在該過程中受到熱和機械應(yīng)力的作用，嚴重時出現(xiàn)瓷體斷裂現(xiàn)象。若片狀電容受到的熱和機械應(yīng)力接近臨界時，則不出現(xiàn)明顯的斷裂現(xiàn)象，而是表現(xiàn)為內(nèi)部裂紋的出現(xiàn)或內(nèi)部微裂紋的產(chǎn)生。用烙鐵補焊時，明顯裂紋則表現(xiàn)為斷裂，微裂紋大多數(shù)表現(xiàn)為電性能恢復(fù)正常，漏電現(xiàn)象消失，但時間一長，片狀電容可靠性差的缺陷就體現(xiàn)出來。

  第三階段是片狀電容長時間工作后出現(xiàn)失效現(xiàn)象，這一階段片狀電容失效往往由于老化、磨損和疲勞等原因使元件性能惡化所致。電子整機到消費者手中出現(xiàn)整機功能障礙，追溯原因，發(fā)現(xiàn)片狀電容漏電流大，失效。一般此類問題源自于第一階段或第二階段片狀電容可靠性隱患的最終暴露，該階段出現(xiàn)的質(zhì)量比前兩個階段嚴重得多。由于整機在消費者使用過程中涉及到的條件，整機生產(chǎn)廠家和元器件廠家大多都模擬試驗過，所以片狀電容在整機出廠前，應(yīng)符合電子線路的要求，但整機因片狀電容使用一段時間出現(xiàn)質(zhì)量問題，則要認真研究片狀電容生產(chǎn)或加工過程中的質(zhì)量隱患。應(yīng)更換片狀電容以保證電子整機設(shè)備的正常工作。  

  片狀電容出現(xiàn)質(zhì)量問題，特別是涉及到可靠性方面的質(zhì)量問題，是一個復(fù)雜的過程。它的表現(xiàn)形式主要是瓷體斷裂、微裂或絕緣電阻下降、漏電流增大居多，出現(xiàn)片狀電容可靠性失效的質(zhì)量問題，應(yīng)從大角度、全方位、分階段分析、研究該問題。

  當(dāng)然，客觀上片狀電容存在一定比率的失效率，針對與片狀電容有關(guān)的質(zhì)量問題，既要承認陶瓷片狀電容存在一定脆性，又要認可通過現(xiàn)代貼片、組裝技術(shù)能夠最限度減少對陶瓷片狀電容的應(yīng)力沖擊。研究、分析片狀電容出現(xiàn)的質(zhì)量問題，找到問題產(chǎn)生的根源，對于現(xiàn)在大量使用于電子整機的片式電容而言，防范、杜絕可靠性問題的出現(xiàn)，具有很現(xiàn)實的意義。

  貼片電容不宜手工焊接，但如果條件不具備一定要用手工焊接，必須委任可靠的操作員；先把電容和基板預(yù)熱到150℃，用不大于20W和頭不超過3mm的電烙，焊接溫度不超過240℃，焊接時間不超過5S進行，要非常小心不能讓烙鐵接觸貼片的瓷體，因為會使瓷體局部高溫而破裂。