貼片三極管廠家直銷，專業的貼片三極管生產廠家，東莞市偉圣電子有限公司，我公司生產全系列規格的貼片三極管，銷售熱線：18028222001 ?13826988037 歡迎來電咨詢 ?業務QQ：410588932 陳先生

三極管的參數反映了三極管各種性能的指標，是分析三極管電路和選用三極管的依據。

一、電流放大系數

1．共發射極電流放大系數

（1）共發射極直流電流放大系數，它表示三極管在共射極連接時，某工作點處直流電流IC與IB的比值，當忽略ICBO時

（2）共發射極交流電流放大系數β它表示三極管共射極連接、且UCE恒定時，集電極電流變化量ΔIC與基極電流變化量ΔIB之比，即

管子的β值大小時，放大作用差；β值太大時，工作性能不穩定。因此，一般選用β為30～80的管子。

2．共基極電流放大系數

共基極直流電流放大系數它表示三極管在共基極連接時，某工作點處IC 與 IE的比值。在忽略ICBO的情況下

（2）共基極交流電流放大系數α，它表示三極管作共基極連接時，在UCB 恒定的情況下，IC和IE的變化量之比，即：

通常在ICBO很小時，與β，與α相差很小，因此，實際使用中經常混用而不加區別。

二、極間反向電流

1．集-基反向飽和電流ICBO

ICBO是指發射極開路，在集電極與基極之間加上一定的反向電壓時，所對應的反向電流。它是少子的漂移電流。在一定溫度下，ICBO 是一個常量。隨著溫度的升高ICBO將增大，它是三極管工作不穩定的主要因素。在相同環境溫度下，硅管的ICBO比鍺管的ICBO小得多。

2．穿透電流ICEO

ICEO是指基極開路，集電極與發射極之間加一定反向電壓時的集電極電流。

該電流好象從集電極直通發射極一樣，故稱為穿透電流。ICEO和ICBO一樣，也是衡量三極管熱穩定性的重要參數。

三、頻率參數

頻率參數是反映三極管電流放大能力與工作頻率關系的參數，表征三極管的頻率適用范圍。

1．共射極截止頻率fβ

三極管的β值是頻率的函數，中頻段β=βo幾乎與頻率無關，但是隨著頻率的增高，β值下降。當β值下降到中頻段βO1／倍時，所對應的頻率，稱為共射極截止頻率，用fβ表示。

2．特征頻率fT

當三極管的β值下降到β＝1時所對應的頻率，稱為特征頻率。在fβ～fT的范圍內，β值與f幾乎成線性關系，f越高，β越小，當工作頻率f＞fT，時，三極管便失去了放大能力。

四、極限參數

1．最大允許集電極耗散功率PCM

PCM 是指三極管集電結受熱而引起晶體管參數的變化不超過所規定的允許值時，集電極耗散的最大功率。當實際功耗Pc大于PCM時，不僅使管子的參數發生變化，甚至還會燒壞管子。

當已知管子的PCM 時，利用上式可以在輸出特性曲線上畫出PCM 曲線。

2．最大允許集電極電流ICM

當IC很大時，β值逐漸下降。一般規定在β值下降到額定值的2／3（或1／2）時所對應的集電極電流為ICM當IC＞ICM時，β值已減小到不實用的程度，且有燒毀管子的可能。

3．反向擊穿電壓BVCEO與BVCEO

BVCEO是指基極開路時，集電極與發射極間的反向擊穿電壓。

BVCBO是指發射極開路時，集電極與基極間的反向擊穿電壓。一般情況下同一管子的

BVCEO（0.5～0.8）BVCBO 。三極管的反向工作電壓應小于擊穿電壓的（1／2～1／3），以保證管子安全可靠地工作。

三極管的3個極限參數PCM 、ICM、BVCEO和前面講的臨界飽和線 、截止線所包圍的區域，便是三極管安全工作的線性放大區。一般作放大用的三極管，均須工作于此區。

三極管符號

半導體三極管也稱為晶體三極管,可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關作用。三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結構成的,而三極管由兩個PN結構成,共用的一個電極成為三極管的基極(用字母b表示)。其他的兩個電極成為集電極(用字母c表示)和發射極(用字母e表示)由于不同的組合方式,形成了一種是NPN型的三極管,另一種是PNP型的三極管。

三極管的種類很多,并且不同型號各有不同的用途。三極管大都是塑料封裝或金屬封裝,常見三極管的外觀,有一個箭頭的電極是發射極,箭頭朝外的是NPN型三極管,而箭頭朝內的是PNP型。實際上箭頭所指的方向是電流的方向。

電子制作中常用的三極管有90××系列,包括低頻小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪聲管9014(NPN),高頻小功率管9018(NPN)等。它們的型號一般都標在塑殼上,而樣子都一樣,都是TO-92標準封裝。

在老式的電子產品中還能見3DG6(低頻小功率硅管)、3AX31(低頻小功率鍺管)等,它們的型號也都印在金屬的外殼上。我國生產的晶體管有一套命名規則,電子工程技術人員和電子愛好者應該了解三極管符號的含義。符號的第一部分“3”表示三極管。

符號的第二部分表示器件的材料和結構:A——PNP型鍺材料;B——NPN型鍺材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符號的第三部分表示功能:U——光電管;K——開關管;X——低頻小功率管;G——高頻小功率管;D——低頻大功率管;A——高頻大功率管。另外,3DJ型為場效應管,BT打頭的表示半導體特殊元件。

晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管符號不同，三極管符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。