氣體傳感器說明

按質量計算，在SnO2中加入3～5％的ThO2，5％的Sm2．在600℃的H2氣氛中燒結，制成厚膜器件，工作溫度為400℃。則可作為CO檢測器件。上圖右圖是燒結溫度為600℃時氣敏器件的特性。可看出，工作溫度在170～200℃范圍內，對H2的靈敏度曲線呈拋物線，而對CO改變工作溫度則影響不大，因此，利用器件這一特性可以檢測H2。而燒結溫度為400℃制成的器件，工作溫度為200℃時，對H2、CO的靈敏度曲線形狀都近似呈直線，但對CO的靈敏度要高得多，可以制成對CO敏感的氣體傳感器。

氣體傳感器樣式

1、靈敏度

當氫氣濃度較低時，氫氣敏MOSFET靈敏度很高，1ppm氫氣濃度變，△UT的值可達到10mV，當氫氣濃度較高時，傳感器的靈敏度會降低。

2、對氣體選擇性

鈀原子間的“空隙”恰好能讓氫原子通過，因此，鈀柵只允許氫氣通過，有很好的選擇性。

3、響應時間

這種器件的響應時間受溫度、氫氣濃度的影響，一般溫度越高，氫氣濃度越高，響應越快，常溫下的響應時間為幾十秒。

氣體傳感器定做

根據單一的紅外吸收峰位置只能判定氣體分子中有什么基團，精確判定氣體種類需要看氣體在中紅外區所有的吸收峰位置即氣體的紅外吸收指紋。但在已知環境條件下，根據單一紅外吸收峰的位置可以大致判定氣體的種類。由于在零下273攝氏度即絕對零度以上的一切物質都會產生紅外幅射，紅外幅射與溫度正相關，因此，同催元件一樣，為消除環境溫度變引起的紅外幅射的變，紅外氣體傳感器中會由一對紅外構成。

一個完整的紅外氣體傳感器由紅外光源、光學腔體、紅外和信號調理電路構成。