氣體傳感器規格

工作溫度會影響傳感器的靈敏度。 下圖左圖是針對SnO2氣體感應設備的各種氣體溫度的電阻特性曲線。 由圖可見，裝置依據溫度而對不同氣體的敏感度不同，且能夠利用此特性來識別氣體的類型。 制備工藝對SnO2的氣敏特性也有很大影響。 如果在SnO2中添加ThO2，改變燒結溫度和加熱溫度會產生不同的氣體靈敏度效果。

氣體傳感器樣式

1、敏感度當氡氣濃度值較低時，氡氣敏MOSFET敏感度很高，1ppm氡氣濃度值轉變，△UT的值可做到10mV，當氡氣濃度值較高時，控制器的敏感度會減少。2、對汽體可選擇性鈀原子間的“間隙”正好能讓氫原子根據，因而，鈀柵只容許氡氣根據，有非常好的可選擇性。3、響應速度這類元器件的響應速度受溫度、氡氣濃度值的危害，一般溫度越高，氫氣濃度越高，響應越快，常溫下的響應時間為幾十秒。

氣體傳感器描述

4、可靠性具體運用中，存有UT隨時間飄移的特點，因此，選用在HCl氛圍中生長發育一層SiO2電纜護套，能夠 明顯改進UT的飄移。除氡氣外，別的汽體不可以根據鈀柵，制做別的汽體的Pd—MOSFET氣敏傳感器要選用一定對策，如制做CO敏MOSFET時要在鈀柵上制做約20nm的小圓孔，就能夠 容許CO汽體根據。此外，由于Pd—MOSFET對氫氣有較高的靈敏度，而對CO的靈敏度卻較低，為此可在鈀柵上蒸發一層厚約20nm的鋁作保護層，阻止氫氣通過。鈀對氨氣分解反應的催作用較弱，為此，要先在SiO2絕緣層上沉淀一層活性金屬，如Pt、Ir、La等。再制作鈀柵，可制成氨氣敏MOSFET。