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按質量計算,在SnO2中加入3~5%的th2、5%的Sm2,在600℃的H2氣氛下燒結制成厚膜器件,工作溫度為400℃。 一種CO檢測裝置。 上圖右圖為燒結溫度為600℃時氣體感應元件的特性。 在工作溫度為170~200℃范圍內,對H2的靈敏度曲線描繪拋物線,但可知CO對改變工作溫度沒有什么影響利用器件這一特性可以檢測H2。而燒結溫度為400℃制成的器件,工作溫度為200℃時,對H2、CO的靈敏度曲線形狀都近似呈直線,但對CO的靈敏度要高得多,可以制成對CO敏感的氣體傳感器。
4 .穩定性的實際應用中,UT具有隨時間漂移的特性,因此通過在HCl氣氛中生長SiO2絕緣層,能夠顯著改善UT的漂移。 氫以外的氣體不能通過鈀柵。 制作其他氣體的Pd—MOSFET氣體傳感器采取了一定的對策,制作CO敏MOSFET時如果在鈀柵上制作約20nm的小孔,則允許CO氣體通過。 再見于Pd—MOSFET對氫氣有較高的靈敏度,而對CO的靈敏度卻較低,為此可在鈀柵上蒸發一層厚約20nm的鋁作保護層,阻止氫氣通過。鈀對氨氣分解反應的催作用較弱,為此,要先在SiO2絕緣層上沉淀一層活性金屬,如Pt、Ir、La等。再制作鈀柵,可制成氨氣敏MOSFET。
固定不動PO2(1)事實上是(-)極產生一個電位差固定不動的電級,即參比電極,有汽體參比電極和并存相參比電極二種。汽體參比電極能夠 是氣體或別的混合氣,如:H2一H2O,CO一CO2也可以產生固定不動的PO2(1)。并存相參比電極就是指金屬材料-氫氧物、廉價氫氧物-天價氫氧物的混和粉末狀(固相),這種合物與氧氣(氣相)混合發生氧反應能形成同定的氧壓,因此也能作為參比電極。