西門子ET200模塊6ES7134-4GB10-0AB0

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2AI, I, ST, 4-WIRE

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低頻運行（<10Hz）造成的IGBT芯片溫度波動會減小使用壽命，具體內容可參考“【干貨學院】淺談溫度對IGBT的影響”。

       通常對于運行周期中低頻工作占比小于2%的情況下，現有S120電機模塊電流最大需要降容至75%，對于Chassis-2，脈沖頻率2.5 kHz則電流最大需要降容至90%，如果采用1.25 kHz的脈沖頻率則不需要考慮降容。對于運行周期中低頻工作占比大于2%的情況下，現有S120電機模塊電流最大需要降容至50%，對于Chassis-2，脈沖頻率2.5 kHz則電流最大需要降容至70%，如果采用1.25 kHz的脈沖頻率最大需要降容至80%。

       可以說對比現有S120 Chassis-1，低頻運行下Chassis-2 的降容減小了一半。

S120 Chassis-2的安裝海拔高度及環(huán)境溫度的降容表如下圖，Chassis-2 的運行溫度為-10°C~+45°C，環(huán)境溫度高于45°C及安裝海拔高度大于1000米需要考慮降容，同時Chassis-2 還給出了環(huán)境溫度60°C的降容數據。

得益于新型IGBT，采用散熱片及IGBT間傳導率更高的新型導熱膏，創(chuàng)新設計的散熱片，優(yōu)化的冷卻系統(tǒng)及風扇，S120 Chassis-2的降容特性得到進一步優(yōu)化，為工程應用提供了更加經濟可靠的解決方案。