PECVD 氣相沉積爐

※產品描述：

CNT公司PECVD設備主要由全真空專用不銹鋼腔體，分子泵高真空系統，電源，生長機體載體及溫控系統，獨立排氣和生長壓力調節系統，冷卻循環水輔助設備等組成。整機結構緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設備控制系統采用邏輯按鈕手動控制與工控機自控控制可選。實現真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜等。

 

 

 

 

 

 

 

※技術指標：

 

參 數 名 稱	單   位	配置
沉積類型		二氧化硅，氮化硅，類金剛石等
電   源		射頻電源，帶正向功率和反射功率計指示，帶匹配器
加熱系統		平板式雙反應室系統，帶加溫和勻氣系統
工 作 溫 度	℃	100~600℃
基片臺尺寸	(φ×H)mm	1英寸、二英寸、三英寸、四英寸
基片臺轉速		轉速0-20RPM
控 溫 精 度	℃	±1
極限真空	pa	8.0×10-5
密封系統		磁流體密封
水冷、氣路系統		冷卻水循環機、無噪聲氣泵
報警及保護		對缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警及相應保護措施
真空系統  （選 配）	真空系列	單級機械泵、擴散泵機組、分子泵
	工作腔體	不銹鋼
	氣氛系統	浮子流量計、進口、國產質量流量計
	記錄裝置	進口、國產無紙記錄儀
備注：西尼特可根據閣下要求提供各種非標產品的設計制造，歡迎來函、來電咨詢！          24小時熱線：400-668-6260   18610138965    Fax:010-51418223   cntdl@sina.com                     http://www.cimitdl.com