(100)、(111)晶向N、P導電型單雙拋鍺(Ge)單晶片
外延級N型與半絕緣型4H碳化硅(4H-SiC)襯底晶片
單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs)半導體晶片
寬禁帶半導體:氮化鎵(GaN)單晶自支撐襯底片
III-V化合物半導體銻化銦(InSb)襯底晶片,N、P型
N型、P型、半絕緣型砷化鎵(GaAs)半導體襯底晶片
N型、P型、半絕緣型磷化銦(InP)化合物半導體襯底片
藍寶石\/硅\/碳化硅基氮化鎵(GaN)外延片:LED,LD,HEMT應用
常規與定制結構碳化硅(SiC)外延片用于功率器件
砷化鎵(GaAs)外延片:Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件應用
中芯晶研供應外延級化合物半導體砷化鎵(GaAs)單晶片
外延生長砷化鎵(GaAs)薄膜用于微波射頻器件
銻化鎵(GaSb)單晶III-V族化合物半導體生產可供襯底與外延片
半導體材料生產商供應紅外、光學、外延級單晶鍺
半導體廠商供應III-V化合物砷化銦(InAs)單晶片
MOCVD\/HVPE生長寬禁帶半導體氮化鎵(GaN)薄膜片
MOCVD\/HVPE生長硅\/碳化硅\/藍寶石基氮化鎵(GaN)薄膜片
碳化硅(SiC)外延片用于SBD,MOSFET,MESFET等器件制備,可定制
N型、P型、半絕緣型4H-SiC單晶切割、拋光、超薄襯底片,可定制
III-V族直接帶隙半導體:導電型與半絕緣型氮化鎵(GaN)襯底