廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司

（100）、(111)晶向N、P導(dǎo)電型單雙拋鍺（Ge）單晶片

外延級(jí)N型與半絕緣型4H碳化硅(4H-SiC)襯底晶片

單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導(dǎo)體晶片

寬禁帶半導(dǎo)體：氮化鎵（GaN）單晶自支撐襯底片

III-V化合物半導(dǎo)體銻化銦（InSb）襯底晶片，N、P型

N型、P型、半絕緣型砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體襯底晶片

N型、P型、半絕緣型磷化銦（InP）化合物半導(dǎo)體襯底片

藍(lán)寶石\/硅\/碳化硅基氮化鎵（GaN）外延片：LED，LD，HEMT應(yīng)用

常規(guī)與定制結(jié)構(gòu)碳化硅（SiC）外延片用于功率器件

砷化鎵（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件應(yīng)用

中芯晶研供應(yīng)外延級(jí)化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）單晶片

外延生長(zhǎng)砷化鎵（GaAs）薄膜用于微波射頻器件

銻化鎵（GaSb）單晶III-V族化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)可供襯底與外延片

半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商供應(yīng)紅外、光學(xué)、外延級(jí)單晶鍺

半導(dǎo)體廠商供應(yīng)III-V化合物砷化銦（InAs）單晶片

MOCVD\/HVPE生長(zhǎng)寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）薄膜片

MOCVD\/HVPE生長(zhǎng)硅\/碳化硅\/藍(lán)寶石基氮化鎵（GaN）薄膜片

碳化硅（SiC）外延片用于SBD，MOSFET，MESFET等器件制備，可定制

N型、P型、半絕緣型4H-SiC單晶切割、拋光、超薄襯底片，可定制

III-V族直接帶隙半導(dǎo)體：導(dǎo)電型與半絕緣型氮化鎵（GaN）襯底